STL115N10F7AG

功能描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

制造商:stmicroelectronics

系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):107A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):72.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5600pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):136W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 53A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)

封装/外壳:8-PowerVDFN

标准包装:1

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